| Кремниевая пластина с микрочипами Samsung (фотография Justin Sullivan / Getty Images North America). |
Компания Samsung объявила о заключении сделки по покупке калифорнийской фирмы Grandis, специализирующейся на методах производства магниторезистивной памяти с каждым доступом (MRAM).
Память MRAM, хранящая сообщение при помощи магнитных моментов, совмещает достоинства динамической и флеш-памяти. Микросхемы MRAM владеют небольшим временем прохода, являются энергонезависимыми и обеспечивают высокую стремительность передачи данных. MRAM, как ожидается, в перспективе придёт на смену DRAM и NAND.
Компания Grandis занимается методом переключения с помощью переноса спина (Spin-Transfer Torque, STT-RAM). Эта методология призвана решить проблемы, с которыми «классическая» технология MRAM будет сталкиваться при росте плотности размещения ячеек памяти и повышении тока записи.
Grandis была создана в 2002 году; её штат насчитывает около 25 сотрудников. Передается, что после завершения сделки Grandis войдёт в состав исследовательского подразделения Samsung R&D. Южнокорейская сопровождение получит права на умственную собственность Grandis и сможет ускорить разработку памяти нового типа.
Сведения о сумме сделки нет.
